【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1132
利用課題名 / Title
シリコンウェハとガラスウェハの陽極接合
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,陽極接合,MEMS,振動計・地震計・重力計
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
池橋 民雄
所属名 / Affiliation
早稲田大学 大学院情報生産システム研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究はシリコンMEMSで超小型の振動計・地震計・重力計を作成することを目指している。本デバイスでは、シリコンウェハとガラスウェハを陽極接合させたのちDeep-RIE（シリコンの深堀加工）を実施して可動構造を作成する。この陽極接合工程の技術代行を京都大学ナノテクノロジーハブ拠点に依頼した。
実験 / Experimental
あらかじめ溝を形成したホウケイ酸ガラスウェハとシリコンウェハの陽極接合を実施した。図1に溝を形成したガラスウェハとシリコンウェハの陽極接合の断面構造図を示す。図2に陽極接合後のウエハ表面写真を示す。
結果と考察 / Results and Discussion
陽極接合後、深さ3umの溝部がシリコンウェハと接着している箇所が見られた（図2）。溝部の幅が広い箇所でこの現象が発生するため、次回以降の設計では溝部の最大幅に制約を設けることとした（図1参考）。Deep-RIE後にデバイスの電気特性を確認し、デバイスが動作することを確認した。今後は評価結果を踏まえ、デバイス形状を最適化する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ 溝を形成したガラスウェハとシリコンウェハの陽極接合
図２ 陽極接合後の写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- J. Wu et al., “A Sub-1 Hz Resonance Frequency MEMS Seismometer with Low Parasitic Coupling”, Proc. MIPE2022, (2022) C1-3-02
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件