利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KT1130

利用課題名 / Title

高機能酸化物薄膜の作製と評価

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

透明導電膜,希薄磁性半導体,X線回折/X-ray diffraction,スピントロニクス/ Spintronics,スピントロニクス/ Spintronics,3D積層技術/ 3D lamination technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

中村 敏浩

所属名 / Affiliation

京都大学国際高等教育院/大学院人間・環境学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

北川 彩貴,川村 亮人,武久 進太郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

塚本匡秋

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-310:X線回折装置
KT-333:触針式段差計(加工評価室)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

近年、高機能かつ化学的に安定な酸化物が新規エレクトロニクス材料として注目されている。我々の研究室では、希薄磁性半導体の母体材料として透明導電膜を用いた新規酸化物スピントロニクス材料の開発を進めている。今回、酸化インジウムスズ(ITO: Indium Tin Oxide)にMnを少量添加したMnドープITO薄膜の成長過程を解析するとともに、薄膜の構造が電気・磁気・光学特性に与える影響を調べた。

実験 / Experimental

RFマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板、あるいは、YSZ単結晶基板上に作製したMnドープITO薄膜について、触針式段差計による膜厚の測定を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

図1に無アルカリガラス基板上に作製したMnドープITO薄膜のXRDパターンを示す。多結晶膜が得られていることが確認された。YSZ単結晶基板上に作製したエピタキシャル成長膜も含めて、触針式段差計による膜厚の測定値を用いて薄膜の抵抗率を評価した。その結果に基づいて、薄膜の導電性のMnドープ量依存性を解析した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1  MnドープITO多結晶膜のXRDパターン(縦軸は対数目盛)


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 北川彩貴, 中村敏浩, 「MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるMnドープ量が物性に与える影響の評価」, 22p-C202-11, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会(2022年9月20日~9月23日, 東北大学 川内北キャンパス)
  2. 川村亮人, 北川彩貴, 武久進太郎, 中村敏浩, 「RFマグネトロンスパッタリング法によって作製したMnドープITO多結晶膜の物性に及ぼす基板温度の影響」, 22p-C202-12, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会(2022年9月20日~9月23日, 東北大学 川内北キャンパス)
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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