【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1103
利用課題名 / Title
表面粗面化形状の形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
LED,高輝度化,粗面化,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,CVD,スパッタリング/Sputtering,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,フォトニクス/ Photonics,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,3D積層技術/ 3D lamination technology,フォトニクス/ Photonics,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
冨井 秀晃
所属名 / Affiliation
コーデンシ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
江中猛,宮内勝久,十河樹生
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
諫早伸明,塚本匡秋
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-202：多元スパッタ装置（仕様Ｂ）
KT-210：ドライエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
LED チップの高輝度化のためにメタル凝集法により形成したマイクロマスクで基板をエッチングして基板の表面を粗面化形状にすることを目指している。メタル成膜条件（材料・膜厚・温度など）によりメタル形状を粒子状にコントロールが可能かを見極める。
実験 / Experimental
SiN 保護膜100nm を成膜したSi 基板上に、スパッタ装置を用いて、膜厚・温度・RF パワー（成膜レート）をパラメータとし、基板加熱をしながらメタル材料を成膜した。一部の条件をTable.1 に示す。
結果と考察 / Results and Discussion
成膜後のサンプルを自社にてマイクロスコープを用い、表面観察を行った。その結果をFig.1 に示す。642℃の条件では下地のSiN が見えるような色の変化と1～2μm 程度のアイランド状のメタル凝集が確認された。しかし、ドライエッチング装置を用いてSiN がエッチングされる条件で処理したが変化が見られなかった。断面構造の想定図をFig.2 に示す。(ⅴ)のようなアイランド状ではなく(ⅵ)のような最表面が薄いAl 層で覆われている状態であったと考えられる。成膜条件や他のパラメータを変更してメタルが完全にアイランド状に分離するように最適化実験を引き続き行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table.1 Experimental conditions.
Fig.1 Pictures of surface shape by different conditions (ⅰ),(ⅱ),(ⅲ),and (ⅳ).
Fig.2 Assumed pictures of cross-sectional structure by (ⅴ) and (ⅵ).
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件