利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KT1092

利用課題名 / Title

DOE(回折光学素子)の試作検討/偏光素子開発

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

DOE,偏光子,リソグラフィ・露光,エッチング,形状・形態観察,微細加工,リソグラフィ/Lithography,フォトニクス/ Photonics,3D積層技術/ 3D lamination technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

鈴木 秀忠

所属名 / Affiliation

ソニーグローバルマニュファクチャリング&オペレーションズ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

澤野亮介

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

岸村眞治,今井憲次,佐藤政司

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術代行/Technology Substitution


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-203:電子線蒸着装置
KT-209:磁気中性線放電ドライエッチング装置
KT-102:露光装置(ステッパー)
KT-108:レジスト塗布装置
KT-110:レジスト現像装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

偏光素子は、測定機器分野や画像処理分野など、幅広く利用されている。その構造は、波長オーダーの微細構造となっており、高い加工精度が求められている。以前の試作において、課題となっていたウエハ面内の露光解像ムラに対し、超解像技術と高解像度レジストプロセス技術の導入をご提案頂き、面内の露光不均一性は大幅に改善された。加えて、Cr薄膜の膜厚およびエッチング時間の最適化や、露光解像度向上を目的としたレジスト膜の最適化を実施することにより、概ね期待する形状のサンプルが得られた。 今回、更なる性能向上を目指し、微細加工ナノプラットフォームコンソーシアムにて、サンプルの作製を行った。

実験 / Experimental

サファイア基板にて、ナノオーダーのL/S構造を有した偏光素子の作製を目的として実験を行った。京都大学ナノテクノロジーハブ拠点にて、電子線蒸着装置によるCr薄膜の形成、i線露光装置によるパターン露光、および磁気中性線放電ドライエッチング装置によるCr薄膜のエッチングを実施した。その後、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設にて、基板のパターンエッチングを実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

仕上がり形状を確認するために、SEM観察を行った(Fig.1)。
・設計値:L/S=350nm/350nm ・実測値:L/S=344nm/356nm
今回、仕上がり精度を改善するために、下記2点の対策を実施しており、これにより期待する形状が得られた。
・サファイア基板厚みの低減 ・基板表面処理の改善

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1  SEM image of sample


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

他の支援機関の利用:産業技術総合研究所(支援管理番号:21009183)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

印刷する
PAGE TOP
スマートフォン用ページで見る