【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1076
利用課題名 / Title
チップTSV
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
形状・形態観察,電子顕微鏡/Electron microscopy,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,3D積層技術/ 3D lamination technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山本 隆一郎
所属名 / Affiliation
日本MEMS株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
今井憲次
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-104：高速マスクレス露光装置
KT-302：分析走査電子顕微鏡
KT-210：ドライエッチング装置
KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）
KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
マスクレス露光でのチップ毎の目合わせ方式にてチップ単位でのTSVを形成した。その際チップ裏面と表面電極を充填メッキで導通を図る際に必要なTSV側壁に於ける絶縁膜の形成に於いて、TSV底部にも形成される絶縁膜の選択的除去について検討し、逆テーパ形状のTSVを作成し、側壁部にも被覆される程度のSiO2膜を開口部にオーバーハング状に成膜し、そのSiO2形状を利用してTSV底部のSiO2膜をドライエッチングした。
実験 / Experimental
逆テーパ形状のTSVを作成の為にSiドライエッチングのレシピの見直しを行った。基本的に反応性エッチングの効果を抑え、イオン性エッチングを強めにしたレシピでSi深掘りの条件出しを行い、TSV底部のグラスやノッチ、及び側壁のスキャロッピングの形状などの最適化を図った。
結果と考察 / Results and Discussion
DRIEの結果より、断面SEMの写真では、TSV底部付近は側壁はほぼ垂直になっており、底部にはSiO2は観測されてないが側壁にもSiO2は観測されていないと思われる。(Fig.1参照) 但しTSV底部や側壁は次工程の充填メッキを行う際に支障をきたす様な形状にはなっていない事が分かる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1. SiO2, not only on the bottom of trench pattern,but also on the sidewall, seems to be etcthed.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件