【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1005
利用課題名 / Title
ドライエッチング（RIE）によるパターン形状への影響
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ・露光・描画装置,ドライエッチング,ナノインプリント,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
壷井 祐樹
所属名 / Affiliation
ニチコン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
今井憲次
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
基板を微細加工して機能的付加価値を付与することを研究しており、パターン形成後にドライエッチング装置による表面処理を行った際に、レジストの膜厚変化とパターン形状の変化の関係を京都大学ナノテクノロジーハブ拠点のドライエッチング装置を利用して調査した。
実験 / Experimental
予めナノインプリント等により基板上にパターンを付与した材料を準備し、本支援機関のドライエッチング装置でレジストの一部を除去した。その後自社のSEMで表面観察からパターン径を、断面観察からレジスト厚を計測した。本実験で使用したパターンは、ホール直径1.7 m、ピッチ3.0 mの千鳥配列とした。処理条件はO2ガス、流量50 SCCM、圧力6.7 Pa(0.05 mmHg)、出力20 Wにて7分間処理した。
結果と考察 / Results and Discussion
ドライエッチング前後のSEM表面画像および断面画像をFig.1に示す。また、RIE処理前後のパターン径およびレジスト膜厚の計測値をTable 1に示す。レジスト膜厚がRIE処理前後で0.5 m変化したのに対し、パターン径は約0.1 mの変化にとどまっている。ドライエッチングでは基盤に対して水平な面のエッチングレートに比べ、ホールの壁面といった基盤に対して垂直な面のエッチングレートが小さいことが確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 SEM image of before and after RIE process
Table 1 Hole size and resist thickness of before and after RIE process
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件