【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0205
利用課題名 / Title
薄膜トランジスタに関する研究 / Study on thin film transistor
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
イオン注入, 薄膜トランジスタ
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 哲也
所属名 / Affiliation
東北大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ポリシリコン薄膜トランジスタ（TFT）のソース/ドレイン領域形成のためのイオン注入を実施した。良好な特性を有するTFTを作製することができた。
実験 / Experimental
n型TFTを製作するため、石英基板上に形成したポリシリコンのソース/ドレイン領域にP+イオンの注入を、中電流イオン注入装置により行った。ポリシリコン膜厚は100nmである。注入エネルギーは13keV, ドーズ量は1.3E13cm-2とした。注入後に行う活性化アニールの効果を評価するため、ポリシリコンのべた膜にも同条件でイオン注入を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
イオン注入後のポリシリコンのべた膜を窒素雰囲気中550℃1時間のアニールを行ったところ、シート抵抗は1.4kΩ/□程度となり、シリコン中にドープしたPがn型不純物として活性化していることを確認した。これにより、TFTのソース/ドレイン層として利用可能であることを確認した。Fig.1に、作製したTFTのトランスファー特性を示す。等価酸化膜厚（EOT）は40nmである。移動度は200cm2/Vs程度、サブスレショルドスウィング（S値）は0.2～0.3V/decと算出され、良好な特性を有することが確認できた。今後このTFTを用い、電気的特性の安定性の評価を行っていく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Transfer characteristics of fabricated TFT
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件