【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0196
利用課題名 / Title
前工程プロセス及び抵抗測定 / previous process and resistance measurement
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,ALD,CVD,PVD,スパッタリング/Sputtering,リソグラフィ/Lithography,EB,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス,IoTセンサ
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
城守 正博
所属名 / Affiliation
公益財団法人いわて産業振興センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-160：自動搬送 芝浦スパッタ装置（加熱型）
TU-105：中電流イオン注入装置
TU-307：金属顕微鏡
TU-107：ランプアニール装置
TU-056：両面アライナ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
企業技術者で半導体関連に従事して間もない方や、今後、半導体関連に従事する方を対象に、半導体製造プロセスの原理を体験・体感してもらうために、手作業を中心とした前工程のプロセス及び抵抗測定を東北大学の設備を利用して実習を行った。
実験 / Experimental
n型基板にイオン注入でp⁺抵抗を形成し、その後、アルミニウム電極をパターンニングし、最終的に抵抗測定までを行った。取り扱うウエハは４インチシリコンウエハである（１人１枚）。
◆実験スケジュール
１日目
●オリエンテーション
●フォトリソグラフィ
・４インチn型シリコン基板上にレジスト塗布、ベーク
・コンタクトアライナを用いて露光、現像
・自動化装置（コータデベロッパ、i線ステッパ）見学
●ボロイオン注入
●レジスト除去、乾燥
●ランプアニール
●スタッパリング（膜厚200nm程度のアルミニウムを成膜）
２日目
●フォトリソグラフィ（p+パターンへアライメントを行う
●ウェットエッチング（アルミニウムをウェットエッチング）
●レジスト除去、乾燥
●シンタリング
●抵抗測定（マニュアルのプローバで評価）
結果と考察 / Results and Discussion
東北半導体・エレクトロニクスデザイン研究会の人材育成・確保ワーキンググループにおける人材育成プログラムの社会人向け実習として、企業在職者で半導体経験の浅い方を対象に、半導体製造プロセスの原理を体感しながら理解してもらうため、手作業を中心とした前工程プロセス及び抵抗測定を含む実習を行い、受講者（13名）から満足度・理解度ともに高い評価をいただいた。 受講者から、「実際に手作業で行い、どのような処理を実際にやっていたかを理解できた」、「実際に製造することで、どのような装置、ケミカルを使うのかなどを具体的にイメージできるようになった」など、実際にシリコンウエハを用いた半導体プロセスを体験したことで、理解を深めることができたとの意見が多く寄せられました。 また、更なるスキルアップを目指し、トランジスタの作成や後工程、基板実装の実習を要望する受講者もおり、今回のプログラムは基礎を学ぶ機会として有効なものであったと思料する。 今後、前工程関連実習の更なる拡充（特に成膜工程）や後工程や設備メンテンナス関連実習などのプログラム組成を検討し、東北地域の半導体人材育成を加速させていきたい。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 フォトリソグラフィ実習の様子
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
利用した主な設備（欄不足分）
TU-001
TU-201
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件