【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0178
利用課題名 / Title
光干渉を用いた力センサ
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
樫村 祐貴
所属名 / Affiliation
東北大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
センサ組み立てを一括で行うために、Siの素子をダイサーで切断する。
実験 / Experimental
送り速度0.3 mm/sで深さ0.3 mmの溝を作製した。Si素子サイズは縦3 mm、横0.8 mm。
結果と考察 / Results and Discussion
問題なく切断できたが、2方向へのカットを複数回行ったため、合計10時間以上の切断時間を要した。図1に、ダイシングしたサンプルの写真を示す。今年度は、作製したサンプルを使用する機会はなかったため、次年度以降に評価を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 ダイシングを行ったサンプルの写真。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
研究室内のダイサーが使用不能であったため、一時的にお借りしました。ありがとうございました。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件