【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0169
利用課題名 / Title
熱駆動マイクロアクチュエータの開発 / Development of electrothermal micro-actuator
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CVD,MEMSデバイス
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
筒井 友哉
所属名 / Affiliation
慶應義塾大学理工学部システムデザイン工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
長ストローク（3 mm）・内視鏡先端部に搭載可能な小型 （4 mm角）・生体内測定に安全な低電圧駆動 （≦1.5 V）を同時に達成するMEMS レンズアクチュエータが内視鏡下の血流イメーシングに不可欠である。しかし、上記の仕様を満たすMEMS アクチュエータは存在しないため、従来のアクチュエータから発想を大きく転換させ、独創的な構造を熱駆動方式に応用したアクチュエータを提案する。今回、MEMSアクチュエータの作製を目指し、東北大学試作コンランドリ施設の設備を利用して、低残留応力レシピでPECVD成膜を行なった。
実験 / Experimental
TEOS PECVD装置を用いて、シリコン深掘り用ストップ層とデバイス基盤層を成膜した。低残留応力レシピでSiO2を成膜した。その後、引張り応力と圧縮応力がそれぞれ支配的な二層繰り返し構造にする低残留応力条件でSiN成膜を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
PECVD成膜後のサンプルをFig. 1に示す．Dektak段差計によるウェハー曲率測定により残留応力評価を行ったところ，99MPaの引張応力状態で成膜されていることが明らかになった．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Picture of fabricated substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件