【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0149
利用課題名 / Title
シリコンセンサの開発 / Development of silicon sensor
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
スパッタリング/Sputtering,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス/ MEMS device,IoTセンサ/ IoT sensor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
塙 裕一郎
所属名 / Affiliation
日本特殊陶業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-215：イオンミリング装置
TU-058：マスクレスアライナ
TU-164：酸素加圧RTA付高温スパッタ装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
酸化物薄膜を用いたシリコンセンサの開発を行っている。酸化物薄膜の成膜とエッチングを実施するため。東北大学ナノテク融合技術支援センター微細加工プラットフォーム(東北大学試作コインランドリ)の装置を利用して検討した。
実験 / Experimental
酸素加圧RTA付高温スパッタ装置(TU-164)にて酸化物薄膜を成膜し、マスクレスアライナ(TU-058)にてフォトリソグラフィを行い、イオンミリング装置(TU-215)にて酸化物薄膜のエッチングを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
事前に用意したSi基板上に酸化物薄膜を成膜し、その後に酸化物薄膜のエッチングを行った。Fig. 1に酸化物薄膜エッチング後の一部のパターンを示す。下層の許容エッチング量から、最適なエッチング条件を調査し、所望のパターン形状と深さを得ることができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Image of sensor pattern after etching of oxide thin film
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
施設の利用にあたり、戸津教授、森山准教授をはじめ、東北大学マイクロシステム融合研究開発センターの研究員とスタッフの皆様にご指導を賜り、感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件