【公開日：2024.12.02】【最終更新日：2024.11.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0105
利用課題名 / Title
多結晶SiCのX線回折測定/X-ray diffraction measurement of polycrystalline SiC
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,パワーエレクトロニクス/ Power electronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
八木 邦明
所属名 / Affiliation
住友金属鉱山株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山雅昭
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
種々の条件を用いてCVD成膜した多結晶SiCの結晶性を評価するため、東北大学の設備を利用してX線回折測定をおこなった。
実験 / Experimental
多結晶SiCを10mmx10mmの大きさに切り出し、Bruker製XRD装置（D8 DISCOVER）を用いてX線回折測定を実施した。X源管球はCuであり、出力50W（電圧50kV 電流1000µA）である。測定角度範囲は20°から90°とした。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に、多結晶SiCの代表的なX線回折スペクトルを示す。図1には、極性面であるSiC(111)のピークと非極性面であるSiC(002)、SiC（220）、SiC(311)のピークが観察された。このX線回折測定結果より、成膜した多結晶SiCの結晶構造は立方晶であることが明らかとなった。
表1に、成膜条件である成膜温度および原料ガス比と結晶配向性の関係を示す。原料ガス比であるC/Si比は、C源ガス供給量/Si源ガス供給量とした。結晶配向性は、極性面比率（（111）面ピーク強度／全ピーク強度）で評価した。表1より、成膜温度が低く、C/Si比が小さいほど、極性面比率が大きくなることが明らかとなった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 多結晶SiCのXRDスペクトル
表1. 成膜条件に対する極性面比
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
森山 雅昭 准教授（東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター）に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件