【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0104
利用課題名 / Title
圧電MEMSデバイスの開発 / Development of piezoelectric MEMS devices
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス/ MEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
丸山 佑紀
所属名 / Affiliation
ミツミ電機株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
弊社は中空構造を有する圧電MEMSデバイスを開発中である。今回、東北大学ナノテク融合技術支援センターのVaper HFエッチング装置を使用し、中空構造の形成を試みた。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
住友 Vaper HF エッチング装置
【実験方法】
中空部にSiO2犠牲層が充填された圧電MEMSデバイスウエハに対し、Vaper HFエッチングを実施した。
また、エッチング後、顕微鏡観察を行い、SiO2犠牲層の残膜有無を確認した。Fig. 1にエッチング及び観察方法の模式図を示す。
・エッチング方法
基本サイクル(※)を複数回繰返し、エッチングを行った。
(※) アルコール置換 -> HFガス導入 -> 排気
・観察方法
エッチング後、圧電層をテープ剥離し、中空部内部を上面より観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
エッチング後の観察結果をFig. 2に示す。SiO2犠牲層の残膜も無く、中空構造の形成が出来た。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1. エッチング及び観察方法の模式図
Fig. 2. エッチング後の中空部内部の観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
デフォルトその他特記事項
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- デフォルト口頭発表
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件