【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0011
利用課題名 / Title
エピサセプターの酸洗浄 / Acid cleaning of susceptor for epitaxial growth
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面処理, 純度, 酸洗浄
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
加藤 弘菜
所属名 / Affiliation
日本テクノカーボン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SiCは耐熱、耐食性に優れる物質である。また、CVD法を用いると高純度なSiCを得ることも可能である。黒鉛基材にSiCを被膜したものは、半導体分野等で利用されており純度は重要な因子である。
2019年度までに、表面の金属不純物について酸洗浄による改善効果が確認できた。一方で2020年度よりサンプル作製環境のクリーン化を進めており、酸洗浄前段階の表面純度についても改善を行っている。今年度は、作製環境クリーン化後のサンプルにて同条件の試験を実施し、酸洗浄後純度の確認と、弊社への設備導入の根拠となるデータ取得を目的とした。
実験 / Experimental
CVD法によってSiCを被覆したサンプルを用意した。
エッチングチャンバーにおいてサンプルをHCl+H2O2混合液及びH2SO4+H2O2混合液で洗浄し、不純物の除去を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
ICP-MSによる純度分析を実施したところ、2019年度に酸洗浄を行った際と同等、測定元素によってはそれよりも良い純度を得ることができた。酸洗浄前時点の表面純度の改善により、さらなる純度改善が期待できることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
東北大学マイクロシステム融合研究開発センター教授 戸津先生、渡邉様には引き続き、技術指導並びにクリーンルーム設備などについて、多くのご指導、ご助言をいただきました。深く感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件