【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0006
利用課題名 / Title
デバイス開発 / Development of Devices
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CVD,MEMSデバイス/ MEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
南條 健
所属名 / Affiliation
株式会社 リコー
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
菊田利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光変調素子の開発を行っている。その構成材料としてTEOS SiO2膜を成膜させていただいた。
実験 / Experimental
Siウェハ上へ、絶縁層としてのSiO2膜成膜と、構成材料としてのSiO2膜を成膜した。
【TEOS SiO2成膜条件】
装置：MPX-CVD
レシピ：DEPORATE
絶縁膜成膜時：500 nm成膜狙い
構造物成膜時：300 nm成膜狙い
結果と考察 / Results and Discussion
絶縁膜としてのSiO2膜成膜は予定通り実施された。後工程のSiO2膜の成膜も問題無く実施でき、本装置借用は問題無かったが、弊社内での装置のリソグラフィとエッチングが不良のため目的の構造は獲得出来なかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件