【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0187
利用課題名 / Title
InGaN結晶成長条件と結晶構造・欠陥の相関性
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
GaN系化合物半導体, 薄膜, 窒化物薄膜,電子顕微鏡/Electron microscopy,ナノエレクトロニクスデバイス/ Nanoelectronics device,原子薄膜/ Atomic thin film,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山口 智広
所属名 / Affiliation
工学院大学 先進工学部 応用物理学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
徳重明人
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
窒化物半導体材料を用いた赤色発光デバイス実現に向けたInGaN結晶の製作を行っている。InGaNの結晶成長条件と結晶構造・欠陥の相関性、またその欠陥の制御について成長とからめて評価を行う。
実験 / Experimental
MBE法を用いて、GaN/a-Al2O3テンプレート上にIn組成20%程度のInGaNを成長させた。途中、InGaN/GaN超格子(SLs)構造を挿入した。このサンプルを薄片化し、JEOL社製JEM-ARM200Fを用い、TEM観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に、得られた明視野走査型透過電子顕微鏡像(STEM-BF)像を示す。図より界面制御よくInGaN/GaN SLsが成長できていることを確認した。一方で、SLsでの転位の成長軸方向への伝搬抑制を期待したが、期待した結果が得られなかったことを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 STEM-BF image of InGaN films with InGaN/GaN SLs
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件