【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22TU0041

利用課題名 / Title

絶縁膜の形成条件の検討とその評価

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

デバイス・センサー関連材料, エレクトロセラミクス,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

結城 洋介

所属名 / Affiliation

株式会社チノー 山形事業所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

山木 優輝,斎藤 利男

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-504：超高分解能透過電子顕微鏡
TU-507：集束イオンビーム加工装置
TU-508：集束イオンビーム加工装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シロキサン成分のある環境に暴露されたサンプルに対し、基板表面に形成されたシリコン酸化膜を収束イオンビーム（FIB）システムや電子顕微鏡を用いて観察を行った。

実験 / Experimental

評価する絶縁膜はシロキサン成分が表面に付着することで形成されたシリコン酸化膜を観察した。 上記試料表面に対し、デュアルビーム走査電子顕微鏡 Quanta™ 3D 200i Dual Beam™またはVersa 3D™ Dual Beam™を用いて断面加工を行い、走査型電子顕微鏡SU-8000によって絶縁膜の表面観察を行った。その後、原子分解能分析電子顕微鏡JEM-ARM200Fを用いてSTEM像観察およびEDSマッピングを行った。

結果と考察 / Results and Discussion

シロキサン成分のある環境で駆動させたサンプルは基板表面に数十nm程度のシリコン酸化膜が検出された。これは基板内部の不純物ではなく、雰囲気等の外部に起因するシリコン酸化膜と考えられる。 以上よりシロキサン成分のある環境ではシリコン酸化膜が形成されることを確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究は、文部科学省委託事業マテリアル先端リサーチインフラ課題として東北大学ナノテク融合技術支援センターの支援を受けて実施されました。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件