【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22HK0092

利用課題名 / Title

ガラスITO基板上へのALD成膜

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,電極材料/ Electrode material

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

芳賀 健士郎

所属名 / Affiliation

株式会社　トプコン

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

佐々木仁,遠堂敬史,松尾保孝

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-616：原子層堆積装置
HK-617：原子層堆積装置（粉末対応型）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ガラスITO電極上の絶縁膜として、ALD成膜を検討した。

実験 / Experimental

ALD装置にて、ITO基板上に、Al2O3: 100 nm、SiO2: 10nmを成膜し、直流電圧による耐電圧の評価を実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

原子層堆積装置(HK-616およびHK-617)にて作製した絶縁膜について、サンプル返送後に膜厚測定を行い、所定の厚さになっていることを確認した。一方で、直流電圧による耐電圧においては、５V持たずに絶縁破壊が発生した。論文では、同程度の膜厚で５０V以上の耐電圧が報告されている。下地のITO電極の平滑性と、ALD膜の追従性のどちらか、もしくは両方不十分であったと考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件