利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.07.28】【最終更新日:2024.03.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22HK0082

利用課題名 / Title

ヘテロ構造を有する半導体ナノワイヤを用いた発光ダイオードに関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

ウエハーダイシング,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,フォトニクス/ Photonics,量子効果/ Quantum effect


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

本久 順一

所属名 / Affiliation

北海道大学大学院 情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 集積電子デバイス研究室

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

岡本 茉那美,本久 順一,冨岡克広

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

纐纈 ゆかり

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-705:ダイシングソー


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ヘテロ構造を有する半導体ナノワイヤを用いた発光ダイオード(LED)の評価に向け、ナノワイヤLEDが形成されたInP基板を微小なチップに分割するため、ダイシングソーを用いて加工した。

実験 / Experimental

半導体ナノワイヤを用いた発光ダイオードが形成されたInP基板をダイシングソーにより分割し、分割したチップをセラミックパッケージにマウントし、配線することによりLEDのパッケージング化を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

図1に典型的なナノワイヤ成長後のInP基板の写真を示す。ナノワイヤはInP (111)A面上に形成されているが、劈開面が{110}面であるため、単純な劈開法では矩形に自在なサイズで切りだすことは不可能である。そこで、ダイシングソーを用いることにより適切なサイズに加工を試みた。および図2に加工後、そしてパッケージング後のInPナノワイヤアレイLEDのチップの写真を示す。ダイシングソーにより加工することにより、InP基板よりナノワイヤLEDが形成されている領域が切り出され、チップがセラミックパッケージにマウントされていることがわかる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1:ヘテロ構造ナノワイヤを成長した典型的な試料



図2:ダイシング・パッケージング後の試料の写真


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
  1. Junichi Motohisa, Characterization of nanowire light-emitting diodes with InP/InAsP heterostructures emitting in telecom band, Japanese Journal of Applied Physics, 63, 03SP08(2024).
    DOI: 10.35848/1347-4065/ad202f
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 岡本茉那美, 冨岡 克広, 本久 順一、「InP/InAsP ヘテロ構造ナノワイヤによる発光ダイオードの評価」、第58回応用物理学会北海道支部/第19回日本光学会北海道支部合同学術講演会、令和5年1月8日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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