【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22HK0072
利用課題名 / Title
ナノホール加工ウエハ作成
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,X線回折/X-ray diffraction,電子分光,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,ALD,リソグラフィ/Lithography,EB,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,電子顕微鏡/Electron microscopy,原子薄膜/ Atomic thin film,原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西田 章浩
所属名 / Affiliation
株式会社ADEKA
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
中村圭佑,佐々木仁,遠堂敬史,松尾保孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-603：超高速スキャン電子線描画装置(130kV)
HK-404：超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
HK-624：シリコン深掘りエッチング装置
HK-617：原子層堆積装置（粉末対応型）
HK-618：プラズマ原子層堆積装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
微細加工ウエハ作成のため、ナノホール加工Siウエハ作成を行った。工程は、レジスト塗布、EB描画、現像、深掘りエッチング、レジスト除去、SEM分析で実施した。
実験 / Experimental
レジスト塗布：ZEP520A、ベーク180℃ 2分EB描画：130kV, 1.0nA現像：現像液ZED-N50, リンス液ZMD-Bエッチングガス：SF6＆C4F8洗浄：DMAC 3分, アセトン2分, メタノール1分
結果と考察 / Results and Discussion
上記条件でレジスト塗布、EB描画、現像、深掘りエッチング、レジスト除去の一連の工程を実施した。ウエハ処理後、サンプルをFE-SEMで観察を行った。結果は、ホール径 220nm, 深さ 2715nmのナノホールが作成できていることが確認された（添付図）。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
ナノホール 断面
ナノホール トップダウン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件