【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.18】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22RO0012

利用課題名 / Title

熱伝播を制御したSiO2/Si構造の作成

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

熱伝搬制御、ナノ構造

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

福山 敦彦

所属名 / Affiliation

宮崎大学工学部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

黒木 伸一郎,田部井 哲夫

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ナノメートルサイズの半導体構造を採用することで、電子移動度を低下させることなく熱伝導率のみを抑制することが可能である。本研究課題では半導体の熱伝搬をナノメートルスケールの高感度で検出できる新規評価手法を開発する。そのための標準試料としてSiO2/Si構造の作製を試みた。

実験 / Experimental

結果と考察 / Results and Discussion

技術相談の結果、本件は、Si基板（0.4ｍｍ厚）上に・SiO2=（５＋一部ｔ）（μｍ）・・ｔ＝（櫛状に）0，3、5，8（μｍ）の膜厚4種類の成膜を行い、 さらにその上に ・Si＝１０ーｔ（一部）（μｍ）というμｍオーダーの成膜要望に対して、 成膜装置の成膜能力（～数百nm）とのギャップが大きく、通常の運転時間では対応できないことがわかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件