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表示件数

22AT0050
ニッケル電極を有するガス電子増幅用ガラス基板の開発
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0049
高純度オゾンを用いたALD Al2O3膜および SiO2膜の特性評価
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0044
Earth abundance半導体のスパッタ堆積薄膜評価
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0043
導電性高分子の磁場下での電子物性測定
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0037
新磁性素子加工用カーボンハードマスクの作製
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0036
GaNへのMgイオン注入と常圧熱処理で形成したp型層のHall効果測定
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0035
ステッパー露光による400nmレジストパターンの作成と薄膜Crのドライエッチング
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0031
バイオテンプレート作成のためのフェリチン粒子塗布条件の確立
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0029
磁性酸化物薄膜のイオンミリング加工
2023.7.28
産業技術総合研究所
22AT0026
Siイオン注入したα-Al2O3の電気的特性
2023.7.28
産業技術総合研究所
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