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- 23QS0007
- その場X線回折測定を用いた逆臨界膜厚エピタキシー過程の観察
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0008
- スパッタアニールAlNの表面クリーニングによる極性制御メカニズムの解明
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0009
- GaNリモートエピタキシーのサファイア基板面方位依存性のリアルタイムX線回折による解析
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0010
- 赤色発光InGaN量子構造形成におけるその場X線回折測定
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0011
- 量子ビームハイブリット実応力解析の小口径溶接配管の残留応力マップへの応用
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0012
- 高圧下のイオン拡散を利用した酸素化物BaTiO3-ｘHxのその場観察
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0013
- 水素誘起アモルファス化後の水素吸蔵反応の観測
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0014
- 圧力効果を利用したP2型Na2/3Mn2/3Ni1/3O2の低温合成
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0015
- 高圧合成技術を活用した100 MPa級超高圧作動型水素吸蔵合金の探索
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0016
- Hf系高水素配位錯イオンを含む錯体水素化物の探索
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構