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- 22AT0056
- GaN薄膜の原子層堆積
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0054
- 表面弾性波デバイスの絶対振動量計測
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0053
- 酸化状態を制御した固体電解質のイオン化ポテンシャルの評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0052
- MIM構造作製プロセスの検討と試作
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0051
- プラズマCVDにおけるSiO2成膜レートの基板枚数依存性
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0050
- ニッケル電極を有するガス電子増幅用ガラス基板の開発
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0049
- 高純度オゾンを用いたALD Al2O3膜および SiO2膜の特性評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0044
- Earth abundance半導体のスパッタ堆積薄膜評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0043
- 導電性高分子の磁場下での電子物性測定
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0037
- 新磁性素子加工用カーボンハードマスクの作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所