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23AT0184
X線解析法によるMnTe薄膜の結晶構造評価
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0185
高移動度SiC
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0186
単原子ゲート・トランジスタ向け高誘電体ゲート絶縁膜堆積
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0187
熱電変換材料評価の為の加工および分析
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0188
相変化材料を利用したプラズモニックデバイスの作成
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0195
超伝導量子ビットの3次元実装
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0196
GaN MOSFETプロセスの開発
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0197
ALD法によるSiO2膜またはSiN膜の評価
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0198
窒化物半導体デバイスの開発
2024.7.25
産業技術総合研究所
23AT0202
回折光学素子のウエハ全面への作製
2024.7.25
産業技術総合研究所
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