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- 22AT0281
- グラフェン電極を用いた平面型電子放出素子
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0280
- ピュアオゾンを用いて形成した酸化アルミニウムの成膜レートと不純物濃度の評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0276
- ナノシートInGaAs FETの高移動度化に関する研究
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0273
- レーザー描画装置による3次元形状作製技術の開発
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0272
- XPSを用いるAlGaN基板表面欠陥分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0269
- アンモニア火炎が金属壁面に及ぼす影響
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0262
- 印刷物のXPS測定条件検討
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0261
- 有機半導体材料の電子状態の調査
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0260
- フォトリソグラフィを用いた原子層物質デバイスの作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0259
- 酸化物半導体薄膜のUPS測定
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所