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- 22AT5002
- ジシラン結合を持つ銅錯体の温度による構造変化
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0274
- Metal-HfZrO-semiconductorキャパシタの試作
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0267
- 原子層堆積法によるRu薄膜の形成
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0219
- 多層MIMダイオードを用いた28GHz整流回路の性能評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0154
- 反応に不活性な熱分析容器の開発
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0436
- プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)で堆積したSiO2薄膜の均一性
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0421
- ナノ流路を用いたポリマー系添加剤入り潤滑油の流動特性の把握
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0419
- リフトオフによるダイヤモンド上への電極作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0418
- SIMSによる酸化インジウム薄膜中の水素濃度評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0415
- 熱処理により拡散したNb表面元素の分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所