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- 23AT0002
- 高純度オゾンを用いたHfO2膜の段差被覆性
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0014
- 金属ナノ材料に関する研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0016
- 3次元LSIの試作・評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0018
- Nb Sputter装置での表面粗さを抑える方法Nb Sputterを行うときの表面粗さを抑える条件
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0020
- 微生物分析用マイクロチップの開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0023
- 電子ビームリソグラフィーの3次元レジスト形状シミュレーション技術に関する研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0024
- LN基板上に成膜した透明導電膜の熱処理による影響
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0025
- 低温異種材料接合技術の開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0027
- スパッタエッチング検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0029
- MoS2上ALD ZrO2ゲート絶縁膜の研究(Research of ALD ZrO2 gate dielectric on MoS2)
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所