自動制御型パルスレーザ蒸着ナノマテリアル合成装置
| 設備ID | OS-119 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > MBE(分子線エピタキシー) |
| 装置名称 | 自動制御型パルスレーザ蒸着ナノマテリアル合成装置 (Automatic pulsed laser deposition nano-materials synthesis system) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所N606 |
| メーカー名 | 株式会社パスカル (Pascal Co.,Lid.) |
| 型番 | MC-LMBE |
| キーワード | 分子線エピタキシー、人工超格子 |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 スキャニングRHEEDと2つのコンビナトリアルマスクを用いて、成長を原子レベルで制御しながら、一枚の基板上に異なる条件の試料を一括作製することが可能です。 【仕様】 レーザー波長：193nm(ArF) レーザー周波数、エネルギー：1～20Hz、最大240mJ 試料サイズ：10mm×10mm 真空度：10-7Pa台 雰囲気ガス：O2（0.02～20Pa) 基板加熱温度：1200℃ RHEED最大加速電圧：30kV |
