誘導結合型RFプラズマ支援スパッタ装置（ICP-RFスパッタ装置）
最終更新日：2024年10月11日
| 設備ID | OS-116 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | 誘導結合型RFプラズマ支援スパッタ装置（ICP-RFスパッタ装置） (RF-Sputtering System with Inductively Coupled Plasma ) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所N415 |
| メーカー名 | 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | MB02-5002 |
| キーワード | 誘導結合型プラズマ スパッタ |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 誘導結合型RFプラズマ支援ヘリコン型スパッタ装置です。 隔膜式真空計を備えており、プロセスガス圧の高度な制御が可能です。 【仕様】 ターゲットサイズ：2inch 利用可能なターゲット：Au,Pt,Al2O3,SiO2など（使用ごとに交換必要） プロセスガス：Ar,O2 基板加熱温度：800℃ ターゲット基板間距離：200mm |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=OS-116 |
