RFスパッタ成膜装置（絶縁体成膜用）
最終更新日：2023年4月18日
| 設備ID | OS-115 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | RFスパッタ成膜装置（絶縁体成膜用） (RF sputtering system (oxide)) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所I215 |
| メーカー名 | サンユー電子 (Sanyu Electron) |
| 型番 | SVC-700LRF |
| キーワード | TS間：60～100mm 反応ガスにN2導入可能 |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 SiO2, Al2O3等の絶縁体のスパッタリングによる成膜が可能 【仕様】 試料サイズ：max 4 inch |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=OS-115 |
