リアクティブイオンエッチング装置
最終更新日：2023年4月18日
| 設備ID | OS-111 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | リアクティブイオンエッチング装置 (Reactive ion etching system) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所N415 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-10NOU |
| キーワード | CCP-RIE 絶縁物ドライエッチング |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたRIE（リアクティブイオンエッチング）装置 【仕様】 試料サイズ：max 8 inch プロセスガス：CF4, O2, Ar, CHF3 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=OS-111 |
