リアクティブイオンエッチング装置
設備ID | OS-110 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | リアクティブイオンエッチング装置 (Reactive ion etching system) |
設置機関 | 大阪大学 |
設置場所 | 産業科学研究所I215 |
メーカー名 | サムコ (Samco) |
型番 | RIE-10NR-NP |
キーワード | CCP-RIE 絶縁物ドライエッチング |
仕様・特徴 | 【特徴】 Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたRIE(リアクティブイオンエッチング)装置 【仕様】 試料サイズ:max 8 inch プロセスガス:CF4, CHF3, O2, Ar |