深掘りエッチング装置
最終更新日：2023年4月18日
| 設備ID | OS-109 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 深掘りエッチング装置 (Deep etching system) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所I215 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-400iPB-NP |
| キーワード | Deep-RIE Bosch ProcessⓇ Siドライエッチングに特化 |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 誘電結合方式（ICP）を採用したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置。1分間に10μm以上のSiエッチングが可能。MEMS、電子部品等に求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応。 【仕様】 試料サイズ：max 4inch プロセスガス：CF4, C4F8, CHF3, SF6, O2, Ar |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=OS-109 |
