超高精細電子ビームリソグラフィー装置
最終更新日：2023年4月18日
| 設備ID | OS-103 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 設備名称 | 超高精細電子ビームリソグラフィー装置 (Ultra high definition electron beam lithography system) |
| 設置機関 | 大阪大学 |
| 設置場所 | 産業科学研究所I215 |
| メーカー名 | エリオニクス (ELIONIX) |
| 型番 | ELS-100T |
| キーワード | 125kV加速 微細構造描画に特化 |
| 仕様・特徴 | 【特徴】 最小ビーム径φ1.7nmにて線幅10nm以下の細線描画が可能。 【仕様】 描画最小線幅：5nm 繋ぎ重ね精度：15nm以下 電子銃：ZrO／Ｗ熱電界放射型 描画方式：ベクタースキャン方式 加速電圧：125kV, 100kV, 75kV, 50kV 描画フィールド：75µm□～2400µm□ 最大試料サイズ：6inch |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=OS-103 |
