イオンミリング装置
最終更新日：2024年4月8日
| 設備ID | TT-012 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | イオンミリング装置 (Ion milling) |
| 設置機関 | 豊田工業大学 |
| 設置場所 | 通常実験室 |
| メーカー名 | 日立ハイテクフィールディング (Hitachi High-Tech Fielding Corporation) |
| 型番 | IM-4-1 |
| キーワード | イオンミリング（断面加工）。材料制限は少ない。 100nm前後の薄いエッチングに適する。 |
| 仕様・特徴 | 加工材料：一般的な金属 最大加工領域：3基板 加工速度の目安： 加速電圧600V 減速電圧200V 加速電流120mA 傾斜角-30° でアルミのエッチング速度2.4μm/h |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=TT-012 |
