Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス）
| 設備ID | TT-011 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス） (Reactive ion etching equipment (Bosch)) |
| 設置機関 | 豊田工業大学 |
| 設置場所 | クリーンルーム |
| メーカー名 | 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products CO.,LTD.) |
| 型番 | Multiplex-ASE-SRE-SE |
| キーワード | プラズマエッチング。壁面の凹凸が約40nmとなる低スキャロップで主に運用。保護膜のCxFy膜はnmレベルで膜厚制御。 |
| 仕様・特徴 | ・φ4インチ シリコン用（金属剥き出しサンプルは禁止） メカニカルクランプのため、200μm厚のような薄いウェハは割れるため、厚いウェハに固定して運用。 |
