原子層堆積装置
最終更新日：2024年4月8日
| 設備ID | TT-003 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD) |
| 設置機関 | 豊田工業大学 |
| 設置場所 | クリーンルーム |
| メーカー名 | Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech) |
| 型番 | Fiji F200 |
| キーワード | 原子層堆積（ALD）装置。SiO2やSiNの成膜に対応。オゾンやプラズマ酸化方式が選択可能。小片から200mm径ウエハまでの成膜に対応。 |
| 仕様・特徴 | 成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。 半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=TT-003 |
