電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置
最終更新日：2024年3月7日
| 設備ID | JI-016 |
|---|---|
| 分類 |
微小加工装置 > 集束イオンビーム（FIB） 熱処理・ドーピング > イオン注入 |
| 設備名称 | 電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB) |
| 設置機関 | 北陸先端科学技術大学院大学（JAIST） |
| 設置場所 | JAISTイノベーションプラザ |
| メーカー名 | 日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science) |
| 型番 | MR-GFIS |
| キーワード | L. 微小加工装置/ Microfabrication equipment 集束イオンビーム（FIB）/ Focused ion beam 直接微細加工 |
| 仕様・特徴 | N2イオンビームによる低汚染のFIB加工 最少加工幅：約10nm |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=JI-016 |
