マイクロ波プラズマCVD装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-033 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > ダイアモンド成長 |
| 設備名称 | マイクロ波プラズマCVD装置 (Mircowave plasma enhanced CVD) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | アリオス (Arios) |
| 型番 | DCVD-601BTG |
| キーワード | ダイヤモンド薄膜形成、化学蒸着（CVD）装置/ Chemical vapor deposition (CVD)、ダイアモンド成長/ Diamond growth |
| 仕様・特徴 | マイクロ波周波数 2.45 GHz、マイクロ波パワー 最大6 kW、水素・メタンガスによるダイヤモンド合成、窒素ガスによる不純物ドーピング、基板サイズ 50mmΦまで 窒素を添加することで、現在注目されている量子センサである窒素－空孔（NV）センタを作ることも可能です。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-033 |
