化合物半導体光素子用酸化炉
設備ID | IT-022 |
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分類 | 熱処理・ドーピング > 酸化 |
装置名称 | 化合物半導体光素子用酸化炉 (Oxidation System for Vertical Cavity Surface Emitting Laser) |
設置機関 | 東京工業大学 |
設置場所 | 東工大大岡山キャンパス |
メーカー名 | エピクエスト (EpiQuest) |
型番 | Hivox3001 |
キーワード | 化合物半導体熱酸化、酸化/ Oxidation |
仕様・特徴 | 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度500度 最大ウェハサイズ3インチ 赤外線カメラによるin-situモニタ付き |