化合物半導体光素子用酸化炉
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-022 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 酸化 |
| 設備名称 | 化合物半導体光素子用酸化炉 (Oxidation System for Vertical Cavity Surface Emitting Laser) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | エピクエスト (EpiQuest) |
| 型番 | Hivox3001 |
| キーワード | 化合物半導体熱酸化、酸化/ Oxidation |
| 仕様・特徴 | 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度５００度 最大ウェハサイズ３インチ 赤外線カメラによるin-situモニタ付き |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-022 |
