SiO2プラズマCVD 装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-015 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | SiO2プラズマCVD 装置 (SiO2 Plasma enhanced CVD) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-100ST |
| キーワード | 絶縁物薄膜形成、化学蒸着（CVD）装置/ Chemical vapor deposition (CVD) |
| 仕様・特徴 | PD-100ST 使用ガス: TEOS、O2、CF4 最大3インチまで |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-015 |
