ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-014 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher for diamond) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | ICP-400iP |
| キーワード | 微細構造形成、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大４インチ, ２インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種：CHF3, O2, CF4 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-014 |
