ICPリアクテブイオンエッチング装置
| 設備ID | IT-013 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher) |
| 設置機関 | 東京工業大学 |
| 設置場所 | 東工大大岡山キャンパス |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | ICP-101RF |
| キーワード | 微細構造形成、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・使用ガス：CF4, SF6, CH4, H2, O2 ・4-inchウエハまで対応 シリコン加工関連のみに限定対応 |
