リアクテブイオンエッチング装置
| 設備ID | IT-012 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | リアクテブイオンエッチング装置 (Reactive ion etcher) |
| 設置機関 | 東京工業大学 |
| 設置場所 | 東工大大岡山キャンパス |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE_10NR |
| キーワード | 微細構造形成、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング ガスの種類：CH4, H2, O2, Ar，CF4, O2 |
