リアクテブイオンエッチング装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-012 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | リアクテブイオンエッチング装置 (Reactive ion etcher) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE_10NR |
| キーワード | 微細構造形成、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング ガスの種類：CH4, H2, O2, Ar，CF4, O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-012 |
