原子層堆積装置
| 設備ID | IT-011 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 装置名称 | 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition) |
| 設置機関 | 東京工業大学 |
| 設置場所 | 東工大大岡山キャンパス |
| メーカー名 | Ultratech/CamnbridgeNanotech (Ultratech/CamnbridgeNanotech) |
| 型番 | FijiF20 |
| キーワード | 化合物半導体MOS用絶縁膜 、原子層堆積（ALD）装置/ Atomic layer deposition (ALD) |
| 仕様・特徴 | ロードロック機構付 プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。化合物半導体等のMIS構造での低界面準位密度などに実績あり。（成膜温度で揮発し、装置を汚染する可能性のある材料は禁止） 酸素源：オゾンおよび水の両方の利用が可能 |
