原子層堆積装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-011 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | Ultratech/CamnbridgeNanotech (Ultratech/CamnbridgeNanotech) |
| 型番 | FijiF20 |
| キーワード | 化合物半導体MOS用絶縁膜 、原子層堆積（ALD）装置/ Atomic layer deposition (ALD) |
| 仕様・特徴 | ロードロック機構付 プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。化合物半導体等のMIS構造での低界面準位密度などに実績あり。（成膜温度で揮発し、装置を汚染する可能性のある材料は禁止） 酸素源：オゾンおよび水の両方の利用が可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-011 |
