有機金属気相成長装置
最終更新日:2024年10月1日
設備ID | IT-010 |
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分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
設備名称 | 有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy) |
設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学(旧:国立大学法人 東京工業大学) |
設置場所 | 科学大(旧:東工大)大岡山キャンパス |
メーカー名 | 日本酸素 ( Nippon Sanso) |
型番 | HR-3246 |
キーワード | InP系化合物半導体、化学蒸着(CVD)装置/ Chemical vapor deposition (CVD) |
仕様・特徴 | InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-010 |