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有機金属気相成長装置

最終更新日:2024年10月1日
設備ID IT-010
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
設備名称 有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy)
設置機関 国立大学法人 東京科学大学(旧:国立大学法人 東京工業大学)
設置場所 科学大(旧:東工大)大岡山キャンパス
メーカー名 日本酸素 ( Nippon Sanso)
型番 HR-3246
キーワード InP系化合物半導体、化学蒸着(CVD)装置/ Chemical vapor deposition (CVD)
仕様・特徴 InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-010
    有機金属気相成長装置
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