コンタクト光学露光装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-005 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクアライナ） |
| 設備名称 | コンタクト光学露光装置 (Contact optical exposure) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | ズース ( Süss) |
| 型番 | MA-8 |
| キーワード | 微細構造形成、光露光（マスクアライナ）/ Optical exposure (mask aligner) |
| 仕様・特徴 | ・アシスト機能装備、TSA/BSA装備 ・表面アライメント制度 TSA：±0.25μm以下 BSA：±1.00μm以下 ・露光解像度 0.5μm ・対応基板 小片～直径2inch ウェハ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-005 |
