高性能半導体デバイス アナライザ＋プローバ
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | WS-023 |
|---|---|
| 分類 | デバイス特性 > 電気特性評価 |
| 設備名称 | 高性能半導体デバイス アナライザ＋プローバ (semiconductor device analyzer) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | キーサイト・テクノロジー株式会社 (Keysight Technologies, Inc.) |
| 型番 | プローバ：長瀬産業社製（特注品）測定装置：アジレント社製B1500ALCRメータ4284A |
| キーワード | 高精度デバイス用 電気特性評価 |
| 仕様・特徴 | ・0.1 fAおよび0.5 μVまでの電流／電圧（IV）測定をサポート ・ハイ・パワー／メモリ・デバイス・テストのための高電圧パルス発生（最大±40 V）をサポート ・準静的および中間周波数キャパシタンス／電圧（CV）測定をサポート |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=WS-023 |
