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Deep-RIE装置

設備ID	WS-009
分類	膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称	Deep-RIE装置 (deep reactive ion etching)
設置機関	早稲田大学
設置場所	早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター
メーカー名	サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番	RIE-400iPB
キーワード	Siの深いエッチングプラズマエッチング
仕様・特徴	Siの深堀り可能、基板サイズ小片～4インチ、Si基板のみ