CCP-RIE装置
設備ID | WS-008 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching) |
設置機関 | 早稲田大学 |
設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
メーカー名 | サムコ株式会社 (Samco Inc.) |
型番 | RIE-10NR |
キーワード | 浅いエッチング プラズマエッチング |
仕様・特徴 | SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング |