CCP-RIE装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | WS-008 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | サムコ株式会社 (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-10NR |
| キーワード | 浅いエッチング プラズマエッチング |
| 仕様・特徴 | SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=WS-008 |
